【需求描述】

1.高压SiC器件：国产10kV SiC MOSFET短缺，进口单价1.9–3.3元/W，dv/dt 100V/ns下绝缘应力超标，需求国产10kV SiC器件、低寄生封装，确保局放≤5pC。

2.高频绝缘：50kHz高频电场下绝缘老化快，热阻≥0.12℃/W，需求纳米复合绝缘材料，实现10kV/50kHz耐受，热阻<0.1℃/W。

3.磁元件：纳米晶铁芯损耗≥200kW/m³，磁偏饱和≥8%，需求低损耗磁芯，优化偏磁抑制算法，使偏磁<5%。

4.控制与成本：多模块均流误差≥3%，SiC器件占成本50%，需求N+1冗余控制，液冷散热方案，实现功耗降20%、成本降30%。

【预期成果指标】

电压等级10kV直挂，额定容量0–1.25MW（连续可调）；整机效率≥98.3%；功率密度≥8.2kW/L；开关频率30kHz；动态响应<2.5ms；THD<1%；局放≤5pC；寿命≥15年；MTBF≥10万小时；适配-20℃~+55℃工作环境，绝缘耐受12kV/1min。

【意向合作方式】技术咨询