技术指标 :
极限真空:系统经48小时连续烘烤抽气后,其极限真空可达≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系统抽速:从大气开始抽气,在≤30分钟内,离子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控溅射室: 采用离子束溅射室:溅射离子枪引出栅直径Φ80mm,束流控制范围0~150mA;辅助沉积离子枪引出栅直径Φ60mm,束流控制范围0~120mA;样品最大尺寸Φ40mm接收溅射粒子沉积成膜。样品可连续回转;样品加热最高加热温度800℃±1℃。 进样室: 可放置6片(Φ40)样品,可上下升降,可对样品基片加热至850˚C。