仪器信息
规格型号 :
Helios 5 UC
设备原值 :
478.63（万元）
产地国别 :
美国
学科领域 :
电子与通信技术
技术指标 :
•电子束系统：加速电压：0.02~30kV；二次电子像分辨率：≤0.6 nm @15kV，≤ 0.7 nm @1 kV
•电子束系统：加速电压：0.5 ~30 kV；离子成像分辨率：≤2.5nm @30kV
•放大倍数：～250W
•独立分离式气体注入系统：包含铂、钨、碳、SiO2沉积
•电子束曝光（EBL）：分辨率：≤10nm @30kV
•••样品台：五轴驱动样品台，最大样品直径≥122mm
•透射电镜（S）TEM薄区样品制备
主要功能 :
•SEM扫描电子显微镜微观形貌与结构表征
• EDS点、线、面扫电子能谱成分分析
•背散射电子衍射（EBSD）晶粒结构和取向分析
•聚焦离子束定点透射电子显微镜样品制备，可满足原子级别透射电镜观察的需要
•聚焦离子束微纳结构加工、原子探针样品制备等
•电子束曝光微纳结构与器件加工制备
服务信息
服务内容 :
透射电镜样品制备/电子束曝光
收费标准 :
3000/样
用户须知 :
按照《南开大学大型仪器设备管理办法》执行。用户申请条件、申请方式、申请时间、申请流程、申请材料、服务时间安排等方面的要求。不适用开放共享的仪器请注明原因。
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高存涛
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