仪器信息
规格型号 :
HAASRODE-E200A
设备原值 :
248.0（万元）
产地国别 :
中国
学科领域 :
物理学,材料科学
技术指标 :
刻蚀速率≥ 10 nm/min
陡直度≥ 75°（刻蚀前掩膜角度优于85°）
片间重复性≤ ±8％
片内均匀性≤ ±15％
主要功能 :
200mm电感耦合等离子体（ICP）工艺采用射频，使得通入的刻蚀气体中产生等离子体，作为工艺所需的刻蚀剂，从而刻蚀晶圆的薄膜层。ICP的等离子体均匀性非常高，确保能在较大的工作窗口内进行无损刻蚀。
服务信息
服务内容 :
利用等离子体对Si/SiO2/磁性叠层进行刻蚀。
收费标准 :
罗锋课题组自测收费（使用收费）0元/小时。部门内课题组代测收费（送样收费）500元/小时。材料科学与工程学院内课题组代测收费（送样收费）600元/小时。南开大学校内课题组代测收费（送样收费）700元/小时。南开大学校外课题组/用户代测收费（送样收费）800元/小时。
用户须知 :
用户提出刻蚀需求，由专人负责刻蚀。根据仪器状态进行统筹安排工艺时间，仪器使用需提前预约。
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