规格型号 :

PD-500C

设备原值 :

52（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

物理学

技术指标 :

1.镀膜室极限真空：优于1.3E-6Pa（经烘烤除气后）； 2.镀膜室抽速测试：抽到工作真空（5E-4Pa）时间少于35分钟（干燥环境下恢复抽真空）； 3.系统漏率：≤2x10-7Pa.l/S(以氦质谱检漏仪测试指标考核）； 4.系统保压：系统抽至高真空后停泵关机保压12小时后真空度小于10Pa; 5.基片加热：衬底最高加热温度500℃； 6.溅射尺寸：衬底基片最大4英寸，兼容4英寸、2英寸、Φ45mm、Φ30mm，以及小尺寸方形片。基片旋转速度：5～25rpm连续可调； 7.成膜质量：直径3英寸范围内均匀性优于±5%； 8.配备连续机械手搬运送样室；

主要功能 :

主要用于制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜等。系统由真空室、进样室、真空系统、气路控制、溅射靶枪、溅射电源、旋转加热共溅台等部分组成。

服务内容 :

制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、扫描电镜制样电极材料制备等

收费标准 :

院内收费标准 80元/小时 校内收费标准 160元/小时 校外收费标准 200元/小时

用户须知 :

按照《南开大学大型仪器设备管理办法》执行。