技术指标 :
● 探测器:VNIR 检测器 (350-1000 nm): 512 像元硅阵列传感器;SWIR 1 检测器 (1001-1800 nm): InGaAs 检测器, TE 制冷;SWIR 2 检测器 (1801-2500 nm): InGaAs 检测器, TE 制冷
● 波长范围:350 - 2500 nm
● 扫描时间:100ms
● 光谱平均: 高达31,800次;
● 色散元件:一个固定的两个快速旋转的全息反射光栅
● 采样间隔: 1.4nm@350-1000nm 1.1nm@1001-2500nm
● NeDL(等效噪声辐射): VNIR 1.0x10-9W/cm2/nm/sr@700nm SWIR1.4x10-9W/cm2/nm/sr/@1400nm SWIR 2.2x10-9W/cm2/nm/sr@2100nm
● 辐射校准精准度:< 3.5%@400 nm, < 3%@700 nm, < 3%@2200 nm
● 杂散光: VNIR 0.02% SWIR 1 2 0.01%
● 通道数:2151
● 检测器阵列通道数:512@350-1000 nm, 520