仪器信息
规格型号 :
cc-150-B
设备原值 :
67.38（万元）
产地国别 :
中国
学科领域 :
物理学
技术指标 :
1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10-6mbar；2、反应腔衬底加热温度：20-350℃；3、ICP源功率范围：100-1200W；4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅；5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。
主要功能 :
薄膜沉积、等离子体激发、精准控制、均匀沉积
服务信息
服务内容 :
在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备
收费标准 :
根据所需测试样品的数量计费
用户须知 :
在专门操作人员指导下进行实验
联系我们
董雷
更多推荐
