规格型号 :

HCD450

设备原值 :

94.8（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

电子与通信技术

技术指标 :

1 极限压力 ≤8×10-5Pa 2 工作压力 1 Pa～5×10-2Pa 3 真空室升压率 ≤0.8Pa/h 4 旋转工件架 公转 转速0～15rpm 5 工件上加热组件 最高温度：150℃ 6 工件尺寸 100×100（mm）166×166（mm） 7 薄膜均匀性 100×100（mm）薄膜均匀性≤±5%166×166（mm）薄膜均匀性≤±10% Φ200范围，晶体膜厚测量仪 国产或进口 8 水冷坩埚 坩埚尺寸：24ml （可换坩埚）换料方式：手动聚焦方式：电磁+永磁 9 空心阴极离子枪 放电电流：不小于50A工作压力：0.2-0.8Pa 10 真空室工作气体控制 聚焦坩埚：MFC 3 路（Ar,O2）,预留一个气路接口空心阴极离子枪：MFC 1 路（Ar） 11 工作电源 主放电电源 10kW启动电源聚焦线圈电源偏转线圈电源坩埚线圈电源电源控制器 12 电气控制单元 触摸屏/工控机，多层沉积薄膜控制系统，数据加密备份系统，PLC 控制系统具有多级报警，互 锁保护，多种操作权限等功能。

主要功能 :

主要用于薄膜材料的快速制备与沉积，可在基底表面形成均匀、致密的功能薄膜。适用于制备金属、氧化物、氮化物、半导体及复合功能材料等，可用于材料改性、器件制备、薄膜性能研究和工艺优化等实验。

服务内容 :

无

收费标准 :

具体收费请与仪器负责人联系

用户须知 :

具体收费请与仪器负责人联系