技术指标 :
1.曝光波长:UV400,350W
2.曝光面积:100 mm(4英寸)
3.曝光时间范围可调
4.曝光模式可支持硬接触、软接触、接近和真空4种模式
5.分辨率:≤0.8 mm
6.正面套刻精度:≤ ±0.5 mm
7.光强均匀度:100mm直径内≤±5%
8.卡盘:
(1)晶圆夹具1:适用于10mm-20mm不规则小片;
(2)晶圆夹具2:适用于4英寸标准硅片;
(3)掩模版夹具1:适用于3-5寸版,曝光区域:2英寸;
(4)掩模版夹具2:适用于5寸版,曝光区域:4英寸。9.掩膜版尺寸:2“ x 2“ 到 5“ x 5“
10.掩模相对于样片运动行程的范围大于或等于:X:±5 mm;Y:±5 mm;θ:5o
11.显微镜:
SUSS高分辨率全视野显微镜与亮场入射照明SUSS掩模对准器MJB4
精细对焦,射程可达300光圈;
可调光圈,显微镜照明50 W
目镜5X/0.15:工作距离20 mm;目镜10X/0.30:工作距离10.1 mm;
目镜20X/0.40:工作距离12 mm
主要功能 :
光刻机是微电子器件及集成光电,子器件关键的工艺设备,研究人员通过光刻工艺将已设计好的各种细微图形显像到芯片的光刻胶上,在经过其它半导体工艺如刻蚀、扩散等,最终在芯片表面形成需要的图形结构,这样经过几次甚至几十次反复的光刻及其它工艺,才能形成具有特殊功能的微电子、光电子器件。