技术指标 :
在最佳工作距离的分辨率:≤0.6 nm @ 2 kV(二次电子成像分辨率)、≤0.7 nm @ 1 kV(二次电子成像分辨率);在双束交叉点的分辨率:≤0.6 nm @ 15 kV(二次电子成像分辨率)、≤0.9 nm @ 5 kV(二次电子成像分辨率)、≤1.2 nm @ 1 kV(二次电子成像分辨率);
电子束着陆电压:20 V ~ 30 kV;
离子束加速电压:500 V ~ 30 kV;
离子束束流强度:0.1 pA ~ 65 nA;
离子束分辨率:2.5 nm @ 30 kV(使用单边测量法)≤4.0 nm @ 30 kV(利用统计测量法);
沉积及刻蚀辅助材料:Pt、C、TEOS、W、XeF2;
配备有纳米机械手;
配备有防样品被空气氧化的传输装置 。