仪器信息
规格型号 :
C120-C
设备原值 :
55.0（万元）
产地国别 :
中国
学科领域 :
物理学
技术指标 :
1）极限真空 3.0x10-5Pa。 2)停机12小时后系统真空度<5Pa。3)溅射室 35 分钟大气抽至 6.0x10-4Pa。4)温度达 400℃。5)样品室/溅射室。6)0-30转/分可调节。7)膜厚均匀性优于3%。8)全自动送样。9)基片尺寸:115mmx115mm。10)膜厚监控仪1套。11)射频电源2套，直流电源1套
主要功能 :
制备高质量、均匀、致密的薄膜，广泛应用于电子、光学和工业领域
服务信息
服务内容 :
金属、氧化物及复合薄膜的沉积。可根据需求灵活调控工艺参数（如溅射功率、气体流量、工作气压及基底温度等），支持直流（DC）与射频（RF）溅射模式，并可实现氩气/氧气等反应气氛下的反应溅射。适用于半导体器件、光电功能薄膜及表面工程等研究方向。
收费标准 :
200/小时
用户须知 :
设备长期承担课题组内多项实验任务，日常排期已较为紧张，若进一步开放将难以保障既有科研工作的顺利推进。此外靶材种类和反应气氛差异较大，频繁更换容易引入交叉污染，影响薄膜纯度与实验结果的可重复性。设备参数（如功率、气压、气体流量等）高度敏感，不同使用者操作水平参差不齐，容易导致工艺波动甚至设备误操作，因此不适合开放共享。
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陈新亮
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