仪器信息
规格型号 :
Savannah S200
设备原值 :
120.0（万元）
产地国别 :
美国
学科领域 :
电子与通信技术
技术指标 :
单反应腔室设计，可处理8英寸基片并兼容小于8英寸的基片；
基片温度最高可加热到350℃，控温精度±1℃；设备运行真
空范围：100mtorr to 200mtorr；
承载气体MFC流量范围：100sccm ；可生长深宽比2000:1的氧化物膜层
主要功能 :
该系统具备热ALD沉积功能，
可用于8英寸及以下尺寸的基
底氧化铝、二氧化铪和氮化
钛等纳米薄膜材料的沉积。
服务信息
服务内容 :
用于氧化物、氮化物、
金属薄膜的生长
收费标准 :
生长Al2O3薄膜200.0元/小时
用户须知 :
1.使用时要确保按照正确的顺序将开关打开2.设备运行期间，切不可触碰腔体及其周围金属挡板，以免被高温烫伤。
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张紫辉
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