规格型号 :

IPEX-864

设备原值 :

137.28（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

物理学,化学

技术指标 :

1 沉积室 1.1 直径16英寸的圆柱形，材质为电抛光304不锈钢，全金属密封。 1.2 腔体上配备多个法兰口，以便将来系统升级； 1.3 真空度优于5*10-8 mbar； 2 预真空室 2.1 预真空室和沉积室通过闸阀隔离，配有观察窗； 2.2 配备德国浦发分子泵，抽速为80L/s本底真空度优于5*10-8 Torr； 3 衬底加热系统 3.1 三维样平台，Z方向行程100mm，面内转动，可倾斜100°； 3.2 加热器工作温度：样品的最高加热温度850℃，温控精度<1℃；温度不均匀性<1%。 3.3 加热器工作氛围：在一个大气压的氧气环境中，加热器也可在最高温度下正常工作。 4 靶材台系统 4.1 靶材台位置与取向：靶材台置于沉积室下方，靶面平行于地面并朝上； 4.2 靶材数量： 6个1英寸靶材配置；配有靶材挡板，各个靶材之间互相隔离； 4.3 靶材运动方式：每个靶材须同时实现自传、公转和摆动

主要功能 :

脉冲激光沉积系统可以用来获得期望化学计量比的多组分薄膜，沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀；可任意调节工艺参数，制备不同种类薄膜。同时配件RHEED可得到样品表面的结构信息，探索晶体生长、吸附、表面缺陷等，是原子级人工合成材料工程中强有力的原位分析与监控的科学技术。

服务内容 :

可以提供各类薄膜样品的制备服务，厚度10-1000nm,包括各类氧化物薄膜、金属薄膜等

收费标准 :

测试需求:标准测量(厚度、折射率)费用较低，高级分析(如Mueler矩阵、动态监测)可能额外计费13

用户须知 :

本套脉冲激光沉积系统由真空系统、靶材系统、温控系统组成，样品生长的背底真空度可达到10-5Pa；生长样品过程中，可冲入氧气、氮气等保护气氛，气压可调节在50Pa-0.0001Pa之间；衬底温度可以在室温到750摄氏度之间可调节；