详细信息：
成果简介：强场半导体开关器件（包括SOS、DSRD）、基于强场半导体器件的驱动电路与纳秒脉冲功率技术、全固态高重频脉冲功率源。1）Si基，SiC基半导体断路开关器件。电压指标百kV，电流指标kA级，重复频率MHz。
成果核心创新点：1. 强场半导体开关器件（SOS、DSRD）；2. 电压百kV，电流kA级，重复频率MHz；3. 基于半导体器件的超宽谱电磁脉冲系统；4. 成熟度：5级。
成果简介：强场半导体开关器件（包括SOS、DSRD）、基于强场半导体器件的驱动电路与纳秒脉冲功率技术、全固态高重频脉冲功率源。1）Si基，SiC基半导体断路开关器件。电压指标百kV，电流指标kA级，重复频率MHz。
成果核心创新点：1. 强场半导体开关器件（SOS、DSRD）；2. 电压百kV，电流kA级，重复频率MHz；3. 基于半导体器件的超宽谱电磁脉冲系统；4. 成熟度：5级。
成果详细用途：用于超宽带辐射源、脉冲放电等离子体驱动、污染处理、生物医学应用等。
预期效益说明：脉冲功率技术应用广泛，该技术指标先进，预计在多个领域有应用前景。
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罗伟
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