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来源地：天津市-天津市-西青区
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成交记录
有效期内知识产权情况：
发明专利 ZL200410101847.5
发明专利 ZL200410009961.5
发明专利 ZL200410009937.1
发明专利 ZL200810103181.5
发明专利 ZL200910082008.6
发明专利 ZL200910086166.9
发明专利 ZL201010119180.7
发明专利 ZL201010168882.4
发明专利 ZL201010608783.3
发明专利 ZL201310487881.X
详细信息：
该成果主要聚焦高端装备制造，研发和制造工业化原子级超高真空薄膜材料沉积系统。该薄膜沉积系统具有一次可生长多片晶圆级薄膜材料的能力，并且该薄膜沉积系统将集成化学气相沉积、脉冲激光沉积以及磁控沉积相结合的沉积系统，可用于制造磁性薄膜、半导体薄膜、金属薄膜、二维材料、金属氧化物、涂层等，可以加速磁性存储芯片的快速发展。该系统也可以实现真空互联，具有很好的工业契合度。
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张德林
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