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电极掩埋式GaN 基紫外探测器
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来源地:天津市-天津市-天津港保税区
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    成果简介:
    •将GaN紫外传感器平面型电极结构改为立体嵌入式结构。
    •通过计算和模拟,优化了电极结构尺寸,提高器件灵敏度和响应时间。

    成果核心创新点:
    •电极掩埋式GaN紫外传感器模块适合后部放电等紫外检测,其暗电流大小较平面型降低2个数量级,灵敏度提高3个数量级以上,光谱响应在280nm处达到0.8A/W,响应速度达到纳秒级,能很好反应局部放电过程中产生的纳秒级紫外脉冲。

    成果详细用途:

    电力设备内部绝缘缺陷导致设备局部放电,从而引起电力系统故障。

         电力设备局部放电过程中伴随着电流脉冲、电磁辐射超声波、光辐射等的产生。  

         通过检测放电过程产生的光辐射可以避免空间中电磁干扰。

         高压电气设备放电时辐射出紫外光谱主要集中在200nm到400nm波段。

         太阳辐射的紫外光200-300nm几乎被地球臭氧层完全吸收而无法到达地球。

         电气设备内部若发生局部放电,辐射出的紫外光可以被探测器检测到且不受外界光的影响,因此,其抗干扰能力很强。


    预期效益说明:

    技术转让、技术许可、技术开发转化金额100万元


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      黄女士 

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