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来源地:天津市-天津市-天津港保税区
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针对现有的实际现状,通过研究铌酸锂波导薄膜化新结构,攻克铌酸锂薄膜波导制备过程中的关键技术,实现低插损铌酸锂薄膜波导的制备,获得该类型波导的各项关键电学性能指标,进一步设计和制作与该类型波导匹配的高频电学结构,最终研制出更小尺寸、更低功耗、性能更为稳定的基于铌酸锂薄膜平台的铌酸锂高频微型电光调制器,为下一代通信系统研发提供支撑。
主要实现成果:
1.利用薄膜化芯片,减小或去除行波电极与铌酸锂晶片之间二氧化硅缓冲层,可有效提高电光转换效率,与传统体材料平台上实现的调制器比较,可缩小器件 40%或降低半波电压 20%。
2.使用金-金键合方式绑定铌酸锂薄膜制作调制器芯片,从而可选择先制备铌酸锂薄膜,波导后期加工的工艺流程。相比国外已有报道的制作工艺,本项目采用的工艺流程更加科学合理,成本低,成品率高,易于大规模生产加工。