详细信息：
成果简介：金刚石在禁带宽度、载流子迁移率、热导率、击穿场强、抗辐射、耐腐蚀等方面几乎全面超越了前几代半导体材料。相比第二、三代半导体材料，金刚石具有最高的Baliga等品质因子，非常适宜制备超大功率的电力电子器件。
成果核心创新点：1.突破2英寸单晶金刚石衬底技术难点，实现小批量化；2.衬底厚度可大于1mm；3.（004）晶面摇摆曲线半高宽可小于50arcsec；4.表面粗糙度可小于1nm；5.技术成熟度达到5级。
成果详细用途：作为电子器件衬底，应用于微波功率、电力电子、紫外探测、生物探测等器件研发。
预期效益说明：单晶金刚石是下一代半导体材料，该技术实现衬底制备，预计在高端器件领域有重要应用。
成果简介：金刚石在禁带宽度、载流子迁移率、热导率、击穿场强、抗辐射、耐腐蚀等方面几乎全面超越了前几代半导体材料。相比第二、三代半导体材料，金刚石具有最高的Baliga等品质因子，非常适宜制备超大功率的电力电子器件。
成果核心创新点：1.突破2英寸单晶金刚石衬底技术难点，实现小批量化；2.衬底厚度可大于1mm；3.（004）晶面摇摆曲线半高宽可小于50arcsec；4.表面粗糙度可小于1nm；5.技术成熟度达到5级。
成果详细用途：作为电子器件衬底，应用于微波功率、电力电子、紫外探测、生物探测等器件研发。
预期效益说明：单晶金刚石是下一代半导体材料，该技术实现衬底制备，预计在高端器件领域有重要应用。
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李瑞成
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