详细信息：
成果简介：本团队开发了一种先进的纳米压印光刻方法，是一种有别于常规机械力挤压的电场驱动的纳米压印光刻新原理，是国际上第三代纳米压印光刻方法，其优势是能够实现近零压力模板填充、超滑脱模，解决了纳米压印光刻领域的两大关键基础难题。
成果核心创新点：1.电场驱动的纳米压印光刻新原理；2.实现近零压力模板填充、超滑脱模；3.压印线宽10nm以下；4.单模板有效脱模次数3000次以上；5.技术成熟度4级。
成果详细用途：用于高端芯片制造，代替EUV和DUV光刻机，应用于3DNAND存储器芯片、CPU/GPU芯片制造等。
预期效益说明：纳米压印光刻可替代传统光刻，该技术国际领先，预计在芯片制造领域有革命性应用。
成果简介：本团队开发了一种先进的纳米压印光刻方法，是一种有别于常规机械力挤压的电场驱动的纳米压印光刻新原理，是国际上第三代纳米压印光刻方法，其优势是能够实现近零压力模板填充、超滑脱模，解决了纳米压印光刻领域的两大关键基础难题。
成果核心创新点：1.电场驱动的纳米压印光刻新原理；2.实现近零压力模板填充、超滑脱模；3.压印线宽10nm以下；4.单模板有效脱模次数3000次以上；5.技术成熟度4级。
成果详细用途：用于高端芯片制造，代替EUV和DUV光刻机，应用于3DNAND存储器芯片、CPU/GPU芯片制造等。
预期效益说明：纳米压印光刻可替代传统光刻，该技术国际领先，预计在芯片制造领域有革命性应用。
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赵庆元
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