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本申请利用氧化钒薄膜电致相变的特性，提出了一种氧化钒太赫兹探测器。其摒弃了复杂的高电阻温度系数材料制备工艺探索，在传统水平探测器电路读出结构基础上，引入新的设计构架，即在氧化钒热敏薄膜上下两个面加电压，通过调节电压，调节氧化钒薄膜的电阻温度系数，进而改善探测器的灵敏度。本申请方案中新引入的电极亦可做为探测器的吸收层，通过仿真，探测器在30～100μm太赫兹波段有平均75％的吸收率。