详细信息：
成果简介：本成果涵盖新型高压高温先进封装、多芯片电热均衡调控、高可靠互连等关键技术，有效解决器件与变换器高功率密度封装所面临的高电热应力问题，满足新能源汽车、数据中心、智能电网、航空航天、武器装备等领域对电能变换装置功率密度、效率与可靠性日益剧增的需求。
成果核心创新点：1.高压高温先进封装技术；2.多芯片电热均衡调控；3.高可靠互连技术；4.取得10kV碳化硅功率器件、1200V/800A车用碳化硅多芯片功率模块等多项成果。
成果详细用途：用于宽禁带功率半导体封装，提升器件性能和可靠性。适用于新能源汽车、航空航天等高要求领域。
预期效益说明：宽禁带半导体是未来方向，封装技术关键，该成果突破瓶颈，预计市场前景广阔。
成果简介：本成果涵盖新型高压高温先进封装、多芯片电热均衡调控、高可靠互连等关键技术，有效解决器件与变换器高功率密度封装所面临的高电热应力问题，满足新能源汽车、数据中心、智能电网、航空航天、武器装备等领域对电能变换装置功率密度、效率与可靠性日益剧增的需求。
成果核心创新点：1.高压高温先进封装技术；2.多芯片电热均衡调控；3.高可靠互连技术；4.取得10kV碳化硅功率器件、1200V/800A车用碳化硅多芯片功率模块等多项成果。
成果详细用途：用于宽禁带功率半导体封装，提升器件性能和可靠性。适用于新能源汽车、航空航天等高要求领域。
预期效益说明：宽禁带半导体是未来方向，封装技术关键，该成果突破瓶颈，预计市场前景广阔。
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赵庆元
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