详细信息：
成果简介：利用原子层技术制备，通过掺杂、退火工艺的设计与调控，探究了掺杂、退火工艺等对HfO2基薄膜铁电性能变化规律，结合有限元密度泛函理论计算方法，深入研究了HfO2基薄膜铁电性能的微观物理机制，大幅提升了HfO2基铁电薄膜的铁电性能。
成果核心创新点：1.原子层技术制备HfO2基铁电薄膜；2.通过掺杂、退火工艺调控性能；3.剩余极化强度最大可达30μC/cm2；4.与半导体工艺兼容，是下一代半导体技术的重要材料。
成果详细用途：用于铁电存储器、负电容晶体管、铁电隧道结、传感器以及储能电容器等领域。
预期效益说明：HfO2基铁电薄膜是新型存储器件关键材料，该技术性能优越，预计在半导体领域有重要应用。
成果简介：利用原子层技术制备，通过掺杂、退火工艺的设计与调控，探究了掺杂、退火工艺等对HfO2基薄膜铁电性能变化规律，结合有限元密度泛函理论计算方法，深入研究了HfO2基薄膜铁电性能的微观物理机制，大幅提升了HfO2基铁电薄膜的铁电性能。
成果核心创新点：1.原子层技术制备HfO2基铁电薄膜；2.通过掺杂、退火工艺调控性能；3.剩余极化强度最大可达30μC/cm2；4.与半导体工艺兼容，是下一代半导体技术的重要材料。
成果详细用途：用于铁电存储器、负电容晶体管、铁电隧道结、传感器以及储能电容器等领域。
预期效益说明：HfO2基铁电薄膜是新型存储器件关键材料，该技术性能优越，预计在半导体领域有重要应用。
联系我们
李瑞成
更多推荐
