技术指标 :
(1)适用材料:包括 Si,SiC,氧化镓,玻璃等晶圆(2)材料尺寸:兼容 8 寸及以下圆片和不规则小片材料(3)腔体数量:双腔体结构,二者通过真空阀联通 / 隔断(4)Load-lock 腔室真空度:≤5e-3 Pa(5)工艺腔室真空度:≤8×e-6 Pa(6)样品传输方式:机械自动传送(7)离子源:具备 1 套 Ar 离子束源,处理面积不小于 8 英寸(8)氧化物去除速率:>0.5 nm/min for Si(9)最大工艺气体流量:200 sccm(10)靶材配置:配备初始硅靶材不少于 1 块(11)对准精度:可实现晶圆固定与简易机械对准(12)最大键合压力:60 KN(13)Si 增强型键合能:室温下玻璃 - 玻璃键合,Si-Si 键合,键合能≥2 J/m²(14)标准型键合能:室温下 Si-Si 键合,键合能≥1 J/m²(15)产能:对于 Si-Si 键合,产能≥0.5 对 / 小时(自样品进入工艺腔开始计时计算)(16)夹具:具备不少于 1 套夹具,满足 8 英寸,且可在一侧兼容 8 英寸及以下圆片和不规则小片材料