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晶圆键合机
仪器分类:工艺试验仪器>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备
浏览量: 发布时间:
所在地:天津
服务承诺:客户至上 如实描述
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    规格型号 :
    SAB6100
    设备原值 :
    499.5(万元)
    产地国别 :
    中国
    学科领域 :
    材料科学,电子与通信技术,工程与技术科学基础学科
    技术指标 :
    (1)适用材料:包括 Si,SiC,氧化镓,玻璃等晶圆(2)材料尺寸:兼容 8 寸及以下圆片和不规则小片材料(3)腔体数量:双腔体结构,二者通过真空阀联通 / 隔断(4)Load-lock 腔室真空度:≤5e-3 Pa(5)工艺腔室真空度:≤8×e-6 Pa(6)样品传输方式:机械自动传送(7)离子源:具备 1 套 Ar 离子束源,处理面积不小于 8 英寸(8)氧化物去除速率:>0.5 nm/min for Si(9)最大工艺气体流量:200 sccm(10)靶材配置:配备初始硅靶材不少于 1 块(11)对准精度:可实现晶圆固定与简易机械对准(12)最大键合压力:60 KN(13)Si 增强型键合能:室温下玻璃 - 玻璃键合,Si-Si 键合,键合能≥2 J/m²(14)标准型键合能:室温下 Si-Si 键合,键合能≥1 J/m²(15)产能:对于 Si-Si 键合,产能≥0.5 对 / 小时(自样品进入工艺腔开始计时计算)(16)夹具:具备不少于 1 套夹具,满足 8 英寸,且可在一侧兼容 8 英寸及以下圆片和不规则小片材料
    主要功能 :
    在超高真空环境下完成晶圆表面原位活化,薄膜溅射沉积与常温晶圆键合,可实现 Si,SiC,氧化镓,玻璃等多种异质材料的高强度常温共价键合,无需高温退火,避免热应力与材料变形,适用于实验室研发阶段的异质集成,复合衬底制备,器件键合工艺开发,同时支持多靶材溅射,可在键合前对晶圆表面进行改性与沉积处理,满足多样化研发型键合需求。
    服务信息
    服务内容 :
    Si,SiC,氧化镓,玻璃等多种异质材料的高强度常温共价键合
    收费标准 :
    按机时计费:1000/h
    用户须知 :
    预约前准备:用户需提前提交样品信息,测试目标,经确认可行性后方可预约,严禁擅自更改设备参数。
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