仪器信息
规格型号 :
SAB9000
设备原值 :
259.0（万元）
产地国别 :
中国
学科领域 :
材料科学,电子与通信技术,工程与技术科学基础学科
技术指标 :
雾化气相外延沉积机台反应腔内衬底表面的雾流厚度可调，范围为 0.5mm~5mm；控温要求：室温～900℃，控温精度 1℃，载片台温度不均匀性 ≤±1.5℃；蓝宝石衬底上外延生长 α-Ga2O2，(0006) 面 XRD 摇摆曲线半峰宽 ≤60 arcsec，最大外延生长速度 ≥1 μm/h，厚度 ≥2 μm，表面粗糙度 Ra 小于等于 0.5 nm；。
主要功能 :
超声雾化频率包含 1.7MHz，2.4MHz，3MHz 三种频率，雾化器有自动频率漂移跟踪稳定控制功能，最大频率偏移 0.1%，包含 2 个雾化单元，2 个耐酸碱液体罐，雾化量 10~200 ml/h 可调节，有液量监测和自动补液功能，可实现连续雾化，定时雾化，脉冲雾化三种雾化模式，能够单独设置运行参数分别控制，能够同时起雾，满足多组分氧化物薄膜沉积要求。
服务信息
服务内容 :
定制化外延薄膜制备，针对 Si，SiC，GaAs，蓝宝石等多种衬底，制备 Ga₂O₃薄膜，可根据需求调控沉积速率，膜厚及薄膜性能，适配功率器件，光电子器件，MEMS，传感器等领域样品制备。
收费标准 :
按机时计费：500/h
用户须知 :
预约前需提交样品信息，工艺参数与测试目标，确认工艺可行性后预约上机，严禁擅自更改设备参数。
样品需符合4英寸以内尺寸要求，无污染物，无腐蚀性，避免损伤石英腔与气路系统。
操作仅限授权人员进行，必须遵守安全规范，佩戴防护用品，严禁带电作业与违规开合炉体。
工艺过程需按流程先小抽再主抽，禁止高抽速冲击石英腔；出现报警立即停机并上报。
工艺结束后清理腔室，配合设备点检与维护，保持现场整洁。
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