技术指标 :
(1)采用分子泵、机械泵组合系统,支持 6 位电子束蒸发源(适配于钨、氧化硅等高熔点材料)、热阻蒸发源(RH,适配金、铝等低熔点金属)及 EB+RH 复合配置,可实现多层膜或合金膜的同步蒸发;(2)双晶振膜厚测量系统实时监测,厚度控制精度 ±0.1 nm,基片旋转(8-20 rpm)与温度控制(室温 - 350℃)确保膜厚均匀性≤±3%(12 英寸基片),膜层纯度>99.99%,附着力通过 ASTM 标准测试;(3)支持 2-12 英寸晶圆、方片及不定型基板(最大 300 mm×300 mm),标配夹具,可定制特殊形状基板夹具。