规格型号 :

ASEM-06

设备原值 :

225.0（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

材料科学,电子与通信技术,工程与技术科学基础学科

技术指标 :

设备能够实现基片清洗，光刻胶涂覆 / 剥离 / 去胶，湿法刻蚀功能。适配2–12英寸晶圆及不规则样品，兼容Si，蓝宝石，SiC，GaAs，GaN，玻璃等材料。极限真空＜100Pa（单片腔体），压升率≤50Pa/min。工艺腔体标配2个清洗槽+1个漂洗槽+1个干燥腔，可扩展至8槽。主轴转速0–3000rpm，精度±10rpm，加速度可编程。加热系统室温–200℃，双温区独立控温，精度±0.5℃（槽式）/±1℃（单片式）。化学液供给支持DHF，SC1，SC2，IPA，BOE等，4路独立输送，流量50–2000mL/min，精度±2%。气路系统N2/CDA流量0.1–50SLM，精度±1%，控压0.1–0.6MPa。兆声波功率80–300W可调，频率0.8–1.2MHz。工艺均匀性片内≤±3%，片间≤±5%。颗粒去除率≥95%@0.3μm，颗粒添加量≤30颗/片。干燥方式支持IPA干燥，热氮甩干，旋转甩干，无水痕残留。控制方式PLC+10英寸触摸屏，支持100组配方编程，实时监控温度，时间，转速，数据存储≥1年。供电AC220V/50Hz，功率≤5kW，接地电阻＜4Ω。

主要功能 :

设备兼容多种半导体及光电材料，适用于实验室及小批量生产场景下的晶圆表面清洗，湿法刻蚀，光刻胶去除及表面改性等工艺开发。可实现清洗，刻蚀，漂洗，干燥全流程自动化控制。流量可调，压力可控，满足不同化学液及气氛条件下的工艺需求。衬底支持水平移动与自动旋转，可灵活调整晶圆位置，实现均匀清洗与刻蚀。

服务内容 :

样品清洗服务：按客户工艺需求，在Si，蓝宝石，SiC，GaAs等衬底上完成表面清洗，湿法刻蚀，光刻胶去除及钝化处理，提供符合测试规格的样品。 清洗/刻蚀方案开发：根据材料特性与器件结构，开发定制化湿法工艺方案，包括有机残留去除，自然氧化层腐蚀，金属污染清洗及选择性刻蚀。 工艺验证与优化：协助客户完成新工艺导入验证，提供DOE实验设计与数据分析支持，确保工艺稳定性和可重复性。

收费标准 :

按机时计费：600/h

用户须知 :

预约前准备：用户需提前提交样品信息，测试目标，经确认可行性后方可预约，严禁擅自更改设备参数。