规格型号 :

MBE-400

设备原值 :

250.0（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

信息科学与系统科学,物理学,电子与通信技术

技术指标 :

1.圆形传样模块 1.1.腔体在充分烘烤后，极限真空需≤5E-10 mbar； 1.2.机械臂移动行程：伸出法兰口距离≥820mm； 1.3.机械臂旋转精度需：≤0.1度； 1.4.机械臂需绕传送方向可360度旋转 2.氮化物分子束外延生长模块 2.1.生长腔在完全烘烤后，本底真空需≤5E-10 mbar； 2.2.配备1套中温源，温度范围满足：300-1400℃，PID控温； 2.3.配备1套Al源，主要用于Al的蒸镀，PID控温； 2.4.配备1套射频等离子源，主要用于氮化物生长，安装法兰：CF100/63，工作气体流量范围不小于：0.1~10 sccm，射频驱动功率不低于：500W； 2.5.快速进样室在充分烘烤后，本底真空需≥5E-8 mbar；

主要功能 :

本设备是一套用于生长高纯度，原子级突变界面氮化物半导体材料的超高真空外延平台。它通过在极低本底压力的真空环境下，精确控制Ga，Al等金属元素的蒸发束流，并配合高活性氮等离子体源，实现对Ⅲ族氮化物薄膜，量子阱及超晶格结构的精密生长。 系统集成了高能电子衍射仪，可实现对晶体生长过程的原位实时监测，精确判定生长模式并对层厚进行原子层级控制。该设备主要用于研发紫外激光器，深紫外发光二极管及高频大功率电子器件，能够有效降低材料中的杂质含量并提升晶体质量。

服务内容 :

基于超高真空环境的氮化物薄膜生长

收费标准 :

1500/小时

用户须知 :

用户需提前联系管理员沟通