规格型号 :

JCP500-8L

设备原值 :

190.0（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

材料科学,物理学,信息科学与系统科学

技术指标 :

1. 硬件部分 1.1 溅射室部分： ★1.1.1 溅射室极限真空：优于6×10-6 Pa； ★1.1.2 靶材装载数量：8种； 1.1.3 镀膜厚度不均匀性：优于3%； ★1.1.4 样品台加热温度：不低于800℃，加热控温精度：±1℃； ★1.1.5 样品台可实现升降、旋转和清洗功能，升降行程0-100mm，旋转速率3-50 rpm； 1.1.6 阴极独立环形进气气路设计； 1.1.7 配备直流电源3套，最大输出功率≥500W； 1.1.8 配备射频电源3套，最大输出功率≥300W； 1.1.9 分子泵抽速：溅射室≥2150 L/s(N2)； 1.1.10 前级泵抽速：溅射室≥57 m3/h；

主要功能 :

多靶材共溅射：配备多个独立控制的溅射靶（如金属、氧化物、氮化物等），支持单层、多层或复合薄膜的精确沉积，适用于多元组分调控（如制备高熵合金、梯度薄膜等）。 高精度薄膜生长：通过调节溅射功率、气体流量（Ar、O₂、N₂等）、基片温度等参数，控制薄膜的厚度（纳米至微米级）、结晶性及微观结构，满足科研与工业需求。

服务内容 :

支持交替溅射、共溅射等模式，实现梯度薄膜、超晶格结构等复杂膜系制备

收费标准 :

200/小时

用户须知 :

真空系统操作 严格按照“机械泵→分子泵”顺序抽真空，避免油蒸气返流。 腔体气压需降至≤5×10⁻⁴ Pa后方可开启溅射电源。 溅射参数设置 初次使用需参考工艺手册，逐步调整功率（DC/RF）、气体流量（Ar/O₂比例）等参数。 禁止超负荷运行（如超过靶材额定功率）。 实时监控 观察等离子体状态是否稳定（均匀辉光为正常），发现异常（电弧、气压突变）立即停机。 记录关键数据（真空度、沉积速率、基片温度等）以备追溯。