规格型号 :

TRP450F

设备原值 :

64.86（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

纺织科学技术,材料科学

技术指标 :

1.片内膜厚均匀性：≤±1.5%。 极限真空度：≤6.6×10-6Pa(经烘烤除气后)。 2.抽速：25分钟可达到6.6×10-4 Pa。 3.真空室尺寸：Ф450mm×400mm，真空室需选用优质304不锈钢材质，表面电解抛光处理。 4.磁控靶：3套，规格2英寸，强磁靶1套，永磁靶2套，可实现靶材自清洁功能。 5.基片台尺寸：4英寸，样品台炉丝温度： 800℃±1℃（无氧环境）基片自转速度：5～20转/分。 6.质量流量控制气：3路（氩气、氧气、氮气）流量准确度±1.5%F.S 7.泵抽系统：脂润滑分子泵1台，抽速不小于1300L/S，旋片真空泵1台，抽速不小于13L/S。 8.真空测量：复合真空计1台：1×105Pa--1×10-7Pa 9.工艺薄膜规 0.1Torr（精度0.5%）

主要功能 :

1. 用于制备一些金属、半导体薄膜。 2. 可沉积混合物/化合物薄膜。 3. 在制备过程中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜。 4. 设备简单易于控制、镀膜面积大、薄膜附着力强，尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料。

服务内容 :

用于制备 Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、Bi2Te3、氧化铝、氧化钛、氧化锆、ITO、AZO、氮化钽、氮化钛等薄膜的制备，以及一些热电、光电等传感器的加工。

收费标准 :

100元/时

用户须知 :

样品尺寸范围1*1mm至50*50mm，具体可制备的材料类型需与管理员提前沟通。