规格型号 :

Torr-RHEED

设备原值 :

79.36（万元）

产地国别 :

中国

学科领域 :

信息科学与系统科学

技术指标 :

1.两级差分反射式高能电子衍射仪，可用于高压环境，反应气氛环境下的RHEED原位监控，系统工作气压可以高达0.4 Torr,包含RHEED电子枪，电源，荧光屏。2.电子枪能量范围: 500 eV-30 keV. 工作距离为150 mm时，电子束斑最小可达50 μm；最大电子束流100 μA；工作距离50至750 mm。3.配高压稳压电源，纹波系数优于10-4rad. 4.两种模式调节电子束偏转:机械调节模块，对电子束的入射角度进行粗调; 两级电磁偏转模块，精确调节电子束的入射角度，可实现工作中实时调节。电子束偏转角度：±15°。5.具备两级差分抽气功能，至少配备一套主流分子泵，抽速大于70 l/s，带前级隔膜泵，配套连接管路，以及控制电源。配有冷阴极规，量程5×10-10 mbar到1bar；6.远程控制：实现电子束聚焦，偏转及电子闸门功能。

主要功能 :

差分式反射式高能电子衍射仪可以在高气压活泼气体氛围薄膜生长系统，如PLD，MOMBE，CVD等。由于高气压活泼气体氛围下影响普通RHEED灯丝的使用寿命，以及气体分子对电子束斑散射和折射影响普通RHEED衍射图谱，因此选择差分反射式高能电子衍射仪TorrRHEED。它可用于原位观察外延薄膜生长情况，为改进生长条件提供依据。反射高能衍射具有较高的表面灵敏度(10~40埃),但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶，孪晶，无定形表面及微粒样品的表面结构分析。也可用来作物相鉴定，测定晶体取向和原子位置。此外，电子衍射可以用来测定晶体的空间群。该设备与现有脉冲激光沉积设备有机结合将显著提升薄膜制备质量，为后续高水平科研项目提供有力的硬件支撑。

服务内容 :

主要用于自旋电子学材料与器件，磁电子芯片等领域的薄膜生长原位观测

收费标准 :

300元/1小时

用户须知 :

1在不使用RHEED时，腔室需保持高真空状态 2使用时确保主腔室与RHEED腔室处于真空状态，再使用软件开启插板阀V10。禁止在主腔高压时打开V10插板阀，避免损坏阀门3使用时电子枪电压与电流需要同时缓慢增大，禁止快速调节电压后再调节电流4开启RHEED相机前方挡板，使用RHEED软件查看电子束光斑，使用LMBE软件调节样品台位置，呈现衍射斑5使用结束后，电子枪电压和电流同时缓慢减小到0后方可关闭电源，禁止直接关闭电源6关闭V10插板阀，保持RHEED腔室真空状态，关闭RHEED相机前方挡板，保护荧光屏